晶體管 SI4800BDY-T1-E3 表面貼裝
發(fā)布時間：2018/10/25
SI4800BDY-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
制造商標準提前期 33 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 18.5 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 5V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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