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FDV301N 集成電路IC

發(fā)布時(shí)間:2019/5/21

FDV301N介紹:

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 220 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 350 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.2 mm  

長(zhǎng)度: 2.9 mm  

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

系列: FDV301N  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: FET  

寬度: 1.3 mm  

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.2 S  

下降時(shí)間: 6 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 6 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 3.5 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 3.2 ns  

零件號(hào)別名: FDV301N_NL  

單位重量: 31 mg




安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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