FDV303N 晶體管
發(fā)布時間：2019/7/5
FDV303N介紹：
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 680 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.2 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: FDV303N
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.3 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 1.45 S
下降時間: 8.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 8.5 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 3 ns
零件號別名: FDV303N_NL
單位重量: 8 mg
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